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Photoluminescence from ion implanted silicon = : Photolumineszenz von ionenimplantiertem Silizium

Photolumineszenzuntersuchungen haben neue Informationen ueber die Natur strahlender Defekte nach Implantation von Bor-, Phosphor-, Stickstoff-, Kohlenstoff- und Sauerstoffionen in Silizium gebracht. Der Einfluss der Art des implantierten Ions, des Substrats und des Erholcharakters des strahlenden Ze... Full description

Series: Government-Report
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Additional Keywords: BOR
GITTERFEHLER
IONENIMPLANTATION
KOHLENSTOFF
PHOTOLUMINESZENZ
SAUERSTOFF
SILICIUM
STICKSTOFF
SUBSTRAT
THEORETISCHES-MODELL
WAERMEBEHANDLUNG
Notes: Copyright: Metadaten: TEMA, Copyright WTI-Frankfurt eG
Copyright: (C) Alle Rechte beim Herausgeber
Physical Description: 118 Seiten
PPN (Catalogue-ID): WTI009058079
Note: WTI TEMA DB
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520 |a Photolumineszenzuntersuchungen haben neue Informationen ueber die Natur strahlender Defekte nach Implantation von Bor-, Phosphor-, Stickstoff-, Kohlenstoff- und Sauerstoffionen in Silizium gebracht. Der Einfluss der Art des implantierten Ions, des Substrats und des Erholcharakters des strahlenden Zentrums liefert Beweise fuer die kuerzlich erfolgte Identifizierung der Peaks C(0,790 eV) und G(0,970 eV) mit Strahlungsrekombination an einem kohlenstoffmodifizierten A-Zentrum bzew. einem Kohlenstoff-Zwischengitteratomdefekt. 
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