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Nature of secundary radiation defects in silicon of the p-type = : Natur der Sekundaerstrahlungsdefekte in p-Typ-Silizium

Mit B, Al oder Ga legierte p-Typ-Silizium-Proben wurden bei 78 Grad K mit Elektronen der Energie von 1,5 MeV bestrahlt und dann im Temperaturbereich 78 bis 700 Grad K isochron erholt. Informationen ueber die Erholung und die strahlungsinduzierten Defekte wurden aus einer Analyse der Daten ueber die... Full description

Series: Government-Report
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Additional Keywords: ALUMINIUM
BOR
ELEKTRISCHE-LEITFAEHIGKEIT
ELEKTRONENBESTRAHLUNG
GALLIUM
GITTERFEHLER
HALL-EFFEKT
LADUNGSTRAEGERDICHTE
LEGIERUNG
P-HALBLEITER
SILICIUM
STRAHLUNGSWIRKUNG
TEMPERATUREINFLUSS
WAERMEBEHANDLUNG
Notes: Copyright: Metadaten: TEMA, Copyright WTI-Frankfurt eG
Copyright: (C) Alle Rechte beim Herausgeber
Physical Description: 8 Seiten
PPN (Catalogue-ID): WTI009159185
Note: WTI TEMA DB
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Internes Format
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520 |a Mit B, Al oder Ga legierte p-Typ-Silizium-Proben wurden bei 78 Grad K mit Elektronen der Energie von 1,5 MeV bestrahlt und dann im Temperaturbereich 78 bis 700 Grad K isochron erholt. Informationen ueber die Erholung und die strahlungsinduzierten Defekte wurden aus einer Analyse der Daten ueber die Ladungstraegerkonzentration erhalten, die aus Messungen des Hall-Effekts und der elektrischen Leitfaehigkeit bestimmt wurden. (Original in Russisch) 
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