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Influence of dislocations on the diffusion of boron and phosphorus in silicon = : Einfluss von Versetzungen auf die Diffusion von Bor und Phosphor in Silicium

Die Temperaturabhaengigkeit des Diffusionskoeffizienten von Bor und Phosphor in Silicium wurde an Proben mit und ohne Versetzungen gemessen. An den Versetzungen enthaltenden Proben wurden die Untersuchungen fuer die Faelle durchgefuehrt, dass die Diffusionsfront senkrecht bzw. parallel zu den Verset... Full description

Contained in: Soviet Physics, Solid State Vol. 19, No. 3 (1977), p. 512-513
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Additional Keywords: BOR
DIFFUSIONSKOEFFIZIENT
KRISTALLVERSETZUNG
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Notes: Copyright: Metadaten: TEMA, Copyright WTI-Frankfurt eG
Copyright: (C) Alle Rechte beim Herausgeber
Physical Description: 2 Seiten, 1 Bild, 15 Quellen
PPN (Catalogue-ID): WTI011164999
Note: WTI TEMA DB
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520 |a Die Temperaturabhaengigkeit des Diffusionskoeffizienten von Bor und Phosphor in Silicium wurde an Proben mit und ohne Versetzungen gemessen. An den Versetzungen enthaltenden Proben wurden die Untersuchungen fuer die Faelle durchgefuehrt, dass die Diffusionsfront senkrecht bzw. parallel zu den Versetzungen verlief. Fuer Phosphor ergeben sich fuer alle drei Versuchsreihen die gleichen Diffusionskoeffizienten. Fuer Bor bewirken die Versetzungen eine Erniedrigung der Diffusion, die bei Diffusion senkrecht zu den Versetzungen staerker ausgepraegt ist als bei Diffusion parallel zu den Versetzungen. Der Effekt wird auf eine unterschiedliche Wechselwirkung zwischen den Dotierungsatomen und den Versetzungen, die auf der unterschiedlichen Groesse der Dotierungsatome basiert, zurueckfuehrt. 
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